PECVD薄膜制备系列

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PECVD薄膜制备

技术参数：

晶圆尺寸：6、8英寸

适用材料：硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、

适用工艺：氧化硅、氮化硅、非晶硅、PSG、BPSG

适用领域：硅基微显、科研院所、集成电路、化合物半导体、功率半导体、LED


设备特点：

设备主要配件全部选用国际主流知名品牌

先进的单腔架构，兼具产能和性能优势

高效远程等离子体清洗系统，良好的颗粒控制

多样化气体挡板，优秀的沉积均匀性

自研可视化操作系统，易学易操作

易保养，低运维成本


  • 规格参数
  • 规格书信息
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