立式CVD薄膜制备系列

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立式CVD

技术参数：

晶圆尺寸：6英寸、8英寸

适用材料：硅

适用工艺：POLY、SI3N4、TEOS等

适用领域：集成电路、半导体、硅基微型显示

晶圆尺寸：6英寸、8英寸

适用材料：硅、碳化硅


设备特点：

先进的压力控制系统

高精度温度场控制技术

现进的颗粒控制技术

优良的薄膜均匀性

先进的图形化操作界面


  • 规格参数
  • 规格书信息
lifang.wu@weishi.com
021-57156332

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